SIS778DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS778DN-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4毫欧。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗， 提升系统效率。 适用于需要高效能开关操作的电源转换、负载开关及同步整流等电路拓扑中， 能够在高频或大电流应用场景下保持良好的热稳定性和电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
97
货期
现货
SIS778DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 97 |
SIS778DN-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4毫欧。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗， 提升系统效率。 适用于需要高效能开关操作的电源转换、负载开关及同步整流等电路拓扑中， 能够在高频或大电流应用场景下保持良好的热稳定性和电气性能。
SIS778DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIS778DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。