SIS496EDNT-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4毫欧。 器件采用标准封装结构， 适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。 其低RDS(ON)特性有助于减少发热， 提升系统整体能效， 适合用于高频率开关电路及大电流负载控制等应用中， 能够稳定可靠地实现高效电能转换与控制。