SIS472DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS472DN-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压， 导通电阻为7.5毫欧。 在典型工作条件下， 其低导通电阻有助于有效降低功率损耗， 提升系统效率。 适用于需要高电流承载能力和快速开关响应的电源转换、电池管理系统以及各类高效能电子设备中的功率控制环节。 器件结构设计兼顾了热稳定性和开关性能， 适合对体积与效率有较高要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
98
货期
现货
SIS472DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SIS472DN-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有35A的连续漏极电流和30V的最大漏源电压， 导通电阻为7.5毫欧。 在典型工作条件下， 其低导通电阻有助于有效降低功率损耗， 提升系统效率。 适用于需要高电流承载能力和快速开关响应的电源转换、电池管理系统以及各类高效能电子设备中的功率控制环节。 器件结构设计兼顾了热稳定性和开关性能， 适合对体积与效率有较高要求的应用场景。
SIS472DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIS472DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。