SIS472ADN-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为7.5毫欧。 其电气特性适合在中等功率的开关应用中使用， 能够在保持较低导通损耗的同时有效控制温升。 该器件适用于对空间和效率有一定要求的电源转换系统， 如便携式电子设备的供电模块、电池管理系统以及各类高效率直流-直流变换器中， 能够支持稳定可靠的开关操作。