SIS4634LDN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS4634LDN-T1-GE3-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为20A， 漏源击穿电压60V， 导通电阻典型值24mΩ， 栅源驱动电压支持至20V。 低导通阻抗特性有助于降低传导损耗， 提升电源转换效率。 适用于电机驱动、开关电源及电池管理系统等中大功率场景， 满足高电流开关需求， 确保电路在紧凑设计中稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
34
货期
现货
SIS4634LDN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 34 |
SIS4634LDN-T1-GE3-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为20A， 漏源击穿电压60V， 导通电阻典型值24mΩ， 栅源驱动电压支持至20V。 低导通阻抗特性有助于降低传导损耗， 提升电源转换效率。 适用于电机驱动、开关电源及电池管理系统等中大功率场景， 满足高电流开关需求， 确保电路在紧凑设计中稳定运行。
SIS4634LDN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIS4634LDN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。