SIS444DN-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.5毫欧。 低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 器件适用于高电流、低电压的电源转换场合， 如服务器电源、通信设备供电系统及便携式高功率电子装置， 在高频开关和大电流负载条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。