SIS443DN-T1-GE3-VB
IC
QFN-8(3x3)
可供量大可议
SIS443DN-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种电源控制和开关应用。 QFN8(3X3)； P—Channel沟道, -40V； -45A； RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.2~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
QFN-8(3x3)
库存
20
货期
现货
SIS443DN-T1-GE3-VB参数
| 封装 | QFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SIS443DN-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型MOSFET， 采用Trench技术， 适用于多种电源控制和开关应用。 QFN8(3X3)； P—Channel沟道, -40V； -45A； RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.2~-2.5V
SIS443DN-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SIS443DN-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。