SIS4406DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS4406DN-T1-GE3-HXY
这款N沟道场效应管专为大电流功率路径设计, 在40V耐压架构下, 实现了70A的持续电流处理能力。 其核心价值在于4.2mΩ的极低导通电阻, 这意味着在大电流工作时, 能有效抑制传导损耗, 为系统带来更低的温升和更高的能效。 器件支持±20V的栅极驱动电压, 具备良好的设计裕度与兼容性。 它非常适合应用于高功率密度电源、大电流负载开关及需要高效功率传输的直流电机驱动模块, 为紧凑型设计提供可靠的功率通路。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
46
货期
现货
SIS4406DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 46 |
SIS4406DN-T1-GE3-HXY概述
这款N沟道场效应管专为大电流功率路径设计, 在40V耐压架构下, 实现了70A的持续电流处理能力。 其核心价值在于4.2mΩ的极低导通电阻, 这意味着在大电流工作时, 能有效抑制传导损耗, 为系统带来更低的温升和更高的能效。 器件支持±20V的栅极驱动电压, 具备良好的设计裕度与兼容性。 它非常适合应用于高功率密度电源、大电流负载开关及需要高效功率传输的直流电机驱动模块, 为紧凑型设计提供可靠的功率通路。
SIS4406DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIS4406DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
