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SIS4406DN-T1-GE3-HXY
IC

DFN-8L(3x3)

可供量大可议

SIS4406DN-T1-GE3-HXY

这款N沟道场效应管专为大电流功率路径设计, 在40V耐压架构下, 实现了70A的持续电流处理能力。 其核心价值在于4.2mΩ的极低导通电阻, 这意味着在大电流工作时, 能有效抑制传导损耗, 为系统带来更低的温升和更高的能效。 器件支持±20V的栅极驱动电压, 具备良好的设计裕度与兼容性。 它非常适合应用于高功率密度电源、大电流负载开关及需要高效功率传输的直流电机驱动模块, 为紧凑型设计提供可靠的功率通路。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(3x3)

库存

46

货期

现货

SIS4406DN-T1-GE3-HXY参数

封装DFN-8L(3x3)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存46

SIS4406DN-T1-GE3-HXY概述

这款N沟道场效应管专为大电流功率路径设计, 在40V耐压架构下, 实现了70A的持续电流处理能力。 其核心价值在于4.2mΩ的极低导通电阻, 这意味着在大电流工作时, 能有效抑制传导损耗, 为系统带来更低的温升和更高的能效。 器件支持±20V的栅极驱动电压, 具备良好的设计裕度与兼容性。 它非常适合应用于高功率密度电源、大电流负载开关及需要高效功率传输的直流电机驱动模块, 为紧凑型设计提供可靠的功率通路。

SIS4406DN-T1-GE3-HXY特性

暂无产品特性。

SIS4406DN-T1-GE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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