SIS429DNT-T1-GE3-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具备良好的导电能力和稳定的电气性能。 其漏极电流ID为35A， 漏源电压VDSS为30V， 适合多种中功率应用场景。 导通电阻RDON为13mΩ， 有助于降低功耗并提升效率。 该器件常用于电源切换、负载管理及直流电机控制等电路中， 适用于智能家电、消费电子、储能设备及通信模块等多样化领域， 助力实现高效、紧凑的电路设计方案。