SIS427EDN-T1-GE3-HXY

该P沟道场效应管最大漏极电流为55A， 漏源击穿电压为30V， 导通电阻低至8mΩ。 器件专为低压大电流应用设计， 适用于电池保护电路、负载开关及直流电源管理模块。 其低内阻特性有效减少导通损耗与发热， 支持高效功率传输， 适合便携式设备、通信终端及消费电子中对空间与能效有严格要求的电路场景。