SIS415DNT-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8S
可供量大可议
SIS415DNT-T1-GE3
P沟道20V（D-S）MOSFET， 采用TrenchFET Gen III技术， 适用于智能手机、平板电脑和移动计算设备的电池开关、负载开关和电源管理
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8S
库存
54
货期
现货
SIS415DNT-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8S |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 54 |
SIS415DNT-T1-GE3概述
P沟道20V（D-S）MOSFET， 采用TrenchFET Gen III技术， 适用于智能手机、平板电脑和移动计算设备的电池开关、负载开关和电源管理
SIS415DNT-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIS415DNT-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。