SIS414DN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS414DN-T1-GE3-MS
此款SSIS414DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道， 采用DFN3X3-8L 紧凑型封装， 精准适配高密度电子设计需求； 30V最大VDSS 下可承载 20A 连续漏极电流， 满足大电流应用场景， 15mΩ 低导通电阻有效提升系统效率、减少功耗， 广泛用于电源管理、马达驱动、电池保护等电路设计， 是高性能低电阻解决方案的理想选择。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
995
货期
现货
SIS414DN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 995 |
SIS414DN-T1-GE3-MS概述
此款SSIS414DN-T1-GE3-MS场效应管为N沟道， 采用DFN3X3-8L 紧凑型封装， 精准适配高密度电子设计需求； 30V最大VDSS 下可承载 20A 连续漏极电流， 满足大电流应用场景， 15mΩ 低导通电阻有效提升系统效率、减少功耗， 广泛用于电源管理、马达驱动、电池保护等电路设计， 是高性能低电阻解决方案的理想选择。
SIS414DN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SIS414DN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。