SIS414DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS414DN-T1-GE3-HXY
SIS414DN-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为高密度电子设计打造。 在30V的最大漏源电压(VDSS)下， 可承载高达20A的连续漏极电流(ID)， 满足大电流应用需求。 其突出的15mΩ导通电阻， 有效提升系统效率， 减少功耗。 广泛应用于电源管理、马达驱动、电池保护等电路设计， 是高性能、低电阻解决方案的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
110
货期
现货
SIS414DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 110 |
SIS414DN-T1-GE3-HXY概述
SIS414DN-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为高密度电子设计打造。 在30V的最大漏源电压(VDSS)下， 可承载高达20A的连续漏极电流(ID)， 满足大电流应用需求。 其突出的15mΩ导通电阻， 有效提升系统效率， 减少功耗。 广泛应用于电源管理、马达驱动、电池保护等电路设计， 是高性能、低电阻解决方案的理想选择。
SIS414DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIS414DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。