SIS413DN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS413DN-T1-GE3-MS
此款SIS413DN-T1-GE3-MS场效应管采用P型设计采用紧凑型DFN3X3-8L封装, 精准适配节省空间与高密度电路设计需求； 30V额定VDSS保障稳定操作环境， 55A连续漏极电流彰显强电流处理能力， 8mΩ超低RD (on) 实现高效能低功耗， 广泛用于电源转换、电机驱动、电池管理系统， 是现代高效能电子产品的理想选择。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
415
货期
现货
SIS413DN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 415 |
SIS413DN-T1-GE3-MS概述
此款SIS413DN-T1-GE3-MS场效应管采用P型设计采用紧凑型DFN3X3-8L封装, 精准适配节省空间与高密度电路设计需求； 30V额定VDSS保障稳定操作环境， 55A连续漏极电流彰显强电流处理能力， 8mΩ超低RD (on) 实现高效能低功耗， 广泛用于电源转换、电机驱动、电池管理系统， 是现代高效能电子产品的理想选择。
SIS413DN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SIS413DN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。