SIS413DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS413DN-T1-GE3-HXY
SIS413DN-T1-GE3 P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为节省空间及高密度电路设计。 本器件的核心参数优秀额定电压VDSS高达30V， 提供稳定的30V电压下操作环境； 支持高达55A的连续漏极电流， 展现强大的电流处理能力； 8mΩ的超低导通电阻RD(on)， 确保高效能与低功耗运行。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景， 是现代高效能电子产品的理想之选。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
235
货期
现货
SIS413DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 235 |
SIS413DN-T1-GE3-HXY概述
SIS413DN-T1-GE3 P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为节省空间及高密度电路设计。 本器件的核心参数优秀额定电压VDSS高达30V， 提供稳定的30V电压下操作环境； 支持高达55A的连续漏极电流， 展现强大的电流处理能力； 8mΩ的超低导通电阻RD(on)， 确保高效能与低功耗运行。 广泛应用于电源转换、电机驱动、电池管理系统等场景， 是现代高效能电子产品的理想之选。
SIS413DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIS413DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。