SIS410DN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS410DN-T1-GE3-MS
此款SIS410DN-T1-GE3场效应管为N沟道， 采用DFN3X3-8L先进封装实现小体积与强性能兼顾； 20V 最大 VDSS 耐压、60A 连续 ID 承载能力保障稳定运行， 4mΩ 超低导通电阻显著提升电源转换效率与系统性能， 广泛适配电源管理、马达驱动等高压大电流场景， 是高效能电路设计的理想选择
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
1,000
货期
现货
SIS410DN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1000 |
SIS410DN-T1-GE3-MS概述
此款SIS410DN-T1-GE3场效应管为N沟道， 采用DFN3X3-8L先进封装实现小体积与强性能兼顾； 20V 最大 VDSS 耐压、60A 连续 ID 承载能力保障稳定运行， 4mΩ 超低导通电阻显著提升电源转换效率与系统性能， 广泛适配电源管理、马达驱动等高压大电流场景， 是高效能电路设计的理想选择
SIS410DN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SIS410DN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。