SIS402DN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS402DN-T1-GE3-MS
此款SIS402DN-T1-GE3-MS为高性能N沟道MOSFET， 搭配300V最大漏源电压（VDSS）、80A 连续电流（ID）的高功率处理能力， 可充分满足高负载应用需求。 其 4.7mΩ 超低导通电阻（RD (on)）能有效降低传导损耗、提升系统效能， 广泛适用于开关电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等对效率与散热要求严苛的场景， 为高效能电路设计提供可靠支持。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
930
货期
现货
SIS402DN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 930 |
SIS402DN-T1-GE3-MS概述
此款SIS402DN-T1-GE3-MS为高性能N沟道MOSFET， 搭配300V最大漏源电压（VDSS）、80A 连续电流（ID）的高功率处理能力， 可充分满足高负载应用需求。 其 4.7mΩ 超低导通电阻（RD (on)）能有效降低传导损耗、提升系统效能， 广泛适用于开关电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等对效率与散热要求严苛的场景， 为高效能电路设计提供可靠支持。
SIS402DN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SIS402DN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。