SIS330DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SIS330DN-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有55A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧， 在栅源电压（VGS）高达20V时仍能稳定工作。 低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 提升整体效率。 适用于高效率开关电源、便携式电动设备、电池供电系统以及对热性能和空间布局有较高要求的功率电子应用中， 能够实现快速开关与可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
39
货期
现货
SIS330DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 39 |
SIS330DN-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有55A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为4.7毫欧， 在栅源电压（VGS）高达20V时仍能稳定工作。 低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 提升整体效率。 适用于高效率开关电源、便携式电动设备、电池供电系统以及对热性能和空间布局有较高要求的功率电子应用中， 能够实现快速开关与可靠运行。
SIS330DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIS330DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。