SIRS700DP-T1-GE3
IC
PowerPAK-SO-8
可供量大可议
SIRS700DP-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 领先的RDS(on)， 可最大程度降低传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 增强散热能力， 降低RthJC。 应用：同步整流。 初级侧开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SO-8
库存
5
货期
现货
SIRS700DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SIRS700DP-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。 领先的RDS(on)， 可最大程度降低传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 增强散热能力， 降低RthJC。 应用：同步整流。 初级侧开关
SIRS700DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIRS700DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。