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SIRS4401DP-T1-GE3
IC

PowerPAKSO-8

可供量大可议

SIRS4401DP-T1-GE3

特性:低导通电阻RDS(on), 可降低传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 增强功率耗散能力, 降低RthJC。 应用:适配器和充电器开关。 负载开关

品牌

VISHAY

封装

PowerPAKSO-8

库存

1

货期

现货

SIRS4401DP-T1-GE3参数

封装PowerPAKSO-8
品牌VISHAY(威世)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存1

SIRS4401DP-T1-GE3概述

特性:低导通电阻RDS(on), 可降低传导损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 增强功率耗散能力, 降低RthJC。 应用:适配器和充电器开关。 负载开关

SIRS4401DP-T1-GE3特性

暂无产品特性。

SIRS4401DP-T1-GE3应用领域

暂无应用领域。

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