SIRB40DP-T1-GE3
IC
PowerPAK-SO-8
可供量大可议
SIRB40DP-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 针对最低的RDS–Qoss品质因数进行调整。 RoHS合规。 Qgd/Qgs比 < 1， 优化开关特性。 100%进行Rg和UIS测试。 无铅且无卤。 应用：DC/DC转换器。 DC/AC逆变器
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SO-8
库存
7
货期
现货
SIRB40DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7 |
SIRB40DP-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 针对最低的RDS–Qoss品质因数进行调整。 RoHS合规。 Qgd/Qgs比 < 1， 优化开关特性。 100%进行Rg和UIS测试。 无铅且无卤。 应用：DC/DC转换器。 DC/AC逆变器
SIRB40DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIRB40DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。