SIRA99DP-T1-GE3
IC
PowerPAK-SO-8
可供量大可议
SIRA99DP-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 极低的RDS(on)， 可将电压降降至最低并降低传导损耗。 无需电荷泵。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：适配器和充电器开关。 电池和电路保护
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SO-8
库存
2,312
货期
现货
SIRA99DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2312 |
SIRA99DP-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 极低的RDS(on)， 可将电压降降至最低并降低传导损耗。 无需电荷泵。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：适配器和充电器开关。 电池和电路保护
SIRA99DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIRA99DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。