SIRA50ADP-T1-RE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIRA50ADP-T1-RE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS标准。 无卤。 Qgd/Qgs比率 < 1， 优化开关特性。 应用：同步整流。 或门应用
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
2
货期
现货
SIRA50ADP-T1-RE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
SIRA50ADP-T1-RE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 符合RoHS标准。 无卤。 Qgd/Qgs比率 < 1， 优化开关特性。 应用：同步整流。 或门应用
SIRA50ADP-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIRA50ADP-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。