SIRA32DP-T1-RE3
IC
SO-8
可供量大可议
SIRA32DP-T1-RE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率， 降低开关相关功率损耗。 100% Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
品牌
VISHAY
封装
SO-8
库存
18
货期
现货
SIRA32DP-T1-RE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
SIRA32DP-T1-RE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率， 降低开关相关功率损耗。 100% Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC
SIRA32DP-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIRA32DP-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。