SIRA28BDP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIRA28BDP-T1-GE3-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高频率开关应用中维持较高的能效。 适用于电源转换、电池保护电路及各类需要高效功率控制的电子系统， 能够支持大电流负载下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
95
货期
现货
SIRA28BDP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
SIRA28BDP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 其低导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高频率开关应用中维持较高的能效。 适用于电源转换、电池保护电路及各类需要高效功率控制的电子系统， 能够支持大电流负载下的稳定运行。
SIRA28BDP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIRA28BDP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。