SIRA18DP-T1-RE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具备80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。 低导通电阻有助于降低导通损耗， 提升整体效率， 同时支持高电流通过能力。 器件适用于对功率处理能力和开关性能要求较高的电源转换、电池管理系统及各类高效电子设备中的功率控制环节， 在高频开关操作中仍能维持良好的热稳定性和电气特性。