SIRA18DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIRA18DP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。 器件结构优化了开关性能与导通损耗， 适用于对功率密度和效率有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景， 能够有效支持大电流负载下的稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
35
货期
现货
SIRA18DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 35 |
SIRA18DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ， 在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。 器件结构优化了开关性能与导通损耗， 适用于对功率密度和效率有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景， 能够有效支持大电流负载下的稳定运行。
SIRA18DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIRA18DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。