SIRA18DDP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIRA18DDP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5.7毫欧。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗与温升， 适用于高效电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类高频率开关电路。 器件在紧凑型电子设备中可有效提升能效并简化热设计， 满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
95
货期
现货
SIRA18DDP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
SIRA18DDP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）为5.7毫欧。 其低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗与温升， 适用于高效电源转换、电机驱动、电池管理系统及各类高频率开关电路。 器件在紧凑型电子设备中可有效提升能效并简化热设计， 满足对性能与可靠性有较高要求的应用场景。
SIRA18DDP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIRA18DDP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。