SIRA18BDP-T1-UE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIRA18BDP-T1-UE3-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 在高电流应用场景中表现出良好的热稳定性和开关特性。 适用于对功率密度和能效有较高要求的电源管理、电机驱动及各类高频开关电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
90
货期
现货
SIRA18BDP-T1-UE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
SIRA18BDP-T1-UE3-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至5.7毫欧。 其低导通电阻有助于减少导通损耗， 提升系统效率， 在高电流应用场景中表现出良好的热稳定性和开关特性。 适用于对功率密度和能效有较高要求的电源管理、电机驱动及各类高频开关电路中。
SIRA18BDP-T1-UE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIRA18BDP-T1-UE3-HXY应用领域
暂无应用领域。