SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIRA18BDP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为5.7毫欧。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统能效， 适用于高电流密度的电源转换、电机控制及各类开关电源拓扑结构。 其电气特性适合在高频工作条件下保持稳定性能， 同时具备良好的热稳定性和线性区响应能力， 便于实现精准的功率调节与高效能量传输。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
90
货期
现货
SIRA18BDP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 90 |
SIRA18BDP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET支持60A的连续漏极电流， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为5.7毫欧。 低导通电阻有效降低导通损耗， 提升系统能效， 适用于高电流密度的电源转换、电机控制及各类开关电源拓扑结构。 其电气特性适合在高频工作条件下保持稳定性能， 同时具备良好的热稳定性和线性区响应能力， 便于实现精准的功率调节与高效能量传输。
SIRA18BDP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIRA18BDP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。