SIRA16DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIRA16DP-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至5.7毫欧， 适用于对导通损耗和热管理要求较高的电源应用。 其低RDS(ON)有助于在高电流工作条件下维持较低的功耗， 提升系统效率。 典型应用场景包括开关电源、电池供电设备中的功率开关以及需要高效能功率转换的紧凑型电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
SIRA16DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SIRA16DP-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至5.7毫欧， 适用于对导通损耗和热管理要求较高的电源应用。 其低RDS(ON)有助于在高电流工作条件下维持较低的功耗， 提升系统效率。 典型应用场景包括开关电源、电池供电设备中的功率开关以及需要高效能功率转换的紧凑型电子系统。
SIRA16DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIRA16DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。