SIRA14DP-T1-GE3-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与开关特性， 适用于多种高效能电源管理系统。 其主要参数包括：漏极电流ID为60A， 漏源电压VDSS为30V， 导通电阻RDON低至4.3mΩ， 能够有效降低功率损耗并提升系统效率。 该器件采用先进工艺制造， 具备良好的热稳定性和可靠性， 适合应用于高密度电源转换、同步整流、负载开关及电池管理等场景， 为电路设计提供灵活而高效的解决方案。