SIRA12DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
SIRA12DP-T1-GE3-HXY
SIRA12DP-T1-GE3 型号N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 兼顾小型化与高效散热性能， 特别适合于高集成度电路设计。 器件支持30V额定电压VDSS， 提供高达120A的连续电流ID， 展现了卓越的功率处理能力。 其导通电阻仅为3.5mR， 极大提升了能源转换效率， 降低了系统损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5X6-8L
库存
59
货期
现货
SIRA12DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 59 |
SIRA12DP-T1-GE3-HXY概述
SIRA12DP-T1-GE3 型号N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 兼顾小型化与高效散热性能， 特别适合于高集成度电路设计。 器件支持30V额定电压VDSS， 提供高达120A的连续电流ID， 展现了卓越的功率处理能力。 其导通电阻仅为3.5mR， 极大提升了能源转换效率， 降低了系统损耗。
SIRA12DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIRA12DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。