SIRA10BDP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIRA10BDP-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 应用：高功率密度DC/DC同步整流。 VRMs和嵌入式DC/DC
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
206
货期
现货
SIRA10BDP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 206 |
SIRA10BDP-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 应用：高功率密度DC/DC同步整流。 VRMs和嵌入式DC/DC
SIRA10BDP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIRA10BDP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。