SIRA06DDP-T1-UE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIRA06DDP-T1-UE3-HXY
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为1.4毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其超低导通电阻有效降低了导通损耗， 在大电流工作条件下仍能维持较低温升。 适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换、电机驱动及高功率负载开关等场景， 尤其适合需要高密度布局与高效能表现的电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
99
货期
现货
SIRA06DDP-T1-UE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 99 |
SIRA06DDP-T1-UE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻仅为1.4毫欧， 栅源驱动电压最高可达20V。 其超低导通电阻有效降低了导通损耗， 在大电流工作条件下仍能维持较低温升。 适用于对效率和热性能要求严苛的电源转换、电机驱动及高功率负载开关等场景， 尤其适合需要高密度布局与高效能表现的电子系统。
SIRA06DDP-T1-UE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIRA06DDP-T1-UE3-HXY应用领域
暂无应用领域。