SIRA01DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIRA01DP-T1-GE3-HXY
SIRA01DP-T1-GE3 P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 集高效散热与小型化于一体。 该器件特色鲜明具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 可承载高达90A的连续工作电流， 且导通电阻(RD(on))低至3.6mΩ， 显著提高了功率转换效率并降低了能耗。 广泛应用在电源转换、电机驱动等对电流需求大的领域， 是提升系统性能、实现节能目标的优选半导体器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
419
货期
现货
SIRA01DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 419 |
SIRA01DP-T1-GE3-HXY概述
SIRA01DP-T1-GE3 P沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 集高效散热与小型化于一体。 该器件特色鲜明具备30V的最大漏源电压(VDSS)， 可承载高达90A的连续工作电流， 且导通电阻(RD(on))低至3.6mΩ， 显著提高了功率转换效率并降低了能耗。 广泛应用在电源转换、电机驱动等对电流需求大的领域， 是提升系统性能、实现节能目标的优选半导体器件。
SIRA01DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIRA01DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。