SIRA01DP-T1-GE3
IC
SO-8
可供量大可议
SIRA01DP-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 极低的Qg d “米勒”电荷和Q gd/Q gs 比 <1。 100% R g 和UIS测试。 RoHS合规， 无卤。 应用：适配器和充电器开关。 负载开关
品牌
VISHAY
封装
SO-8
库存
1
货期
现货
SIRA01DP-T1-GE3参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SIRA01DP-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 极低的Qg d “米勒”电荷和Q gd/Q gs 比 <1。 100% R g 和UIS测试。 RoHS合规， 无卤。 应用：适配器和充电器开关。 负载开关
SIRA01DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIRA01DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。