SIR882DP-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
SIR882DP-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET， 适合于要求高效能和小型封装的应用， 特别适合现代电子设备和电力管理系统。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 100V； 95A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~5V
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
20
货期
现货
SIR882DP-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
SIR882DP-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET， 适合于要求高效能和小型封装的应用， 特别适合现代电子设备和电力管理系统。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 100V； 95A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~5V
SIR882DP-VB特性
暂无产品特性。
SIR882DP-VB应用领域
暂无应用领域。