SIR882BDP-T1-RE3-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与较高的电流承载能力， 适用于多种高效能场景。 其漏极电流ID可达80A， 漏源电压VDSS为100V， 确保在较高功率条件下稳定运行； 导通电阻RDON低至6.4mΩ， 有效降低功耗并提升整体效率。 该器件采用成熟工艺制造， 具备良好的热稳定性和耐久性， 适合用于电源管理、开关电路、电机控制及高密度电力系统等对性能和可靠性有要求的应用领域。