SIR882BDP-T1-RE3
IC
PowerPAK-SO-8
可供量大可议
SIR882BDP-T1-RE3
特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 非常低的RDS×Qg品质因数 (FOM)。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 100% Rg和UIS测试。 RoHS合规， 无卤。 应用：同步整流。 初级侧开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SO-8
库存
2
货期
现货
SIR882BDP-T1-RE3参数
| 封装 | PowerPAK-SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
SIR882BDP-T1-RE3概述
特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 非常低的RDS×Qg品质因数 (FOM)。 针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。 100% Rg和UIS测试。 RoHS合规， 无卤。 应用：同步整流。 初级侧开关
SIR882BDP-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIR882BDP-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。