SIR880DP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR880DP-T1-GE3
PowerPAK是一种新的封装的MOSFET技术, 它基于SO-8封装开发, 与标准SO-8具有相同的占位面积和引脚排列, 可直接替代标准SO-8封装。 作为无引脚封装, 它利用整个SO-8占位面积, 能容纳比标准SO-8更大的芯片。 芯片底部的连接垫暴露, 可提供直接、低电阻的热路径到安装设备的基板。 此外, 该封装高度低于标准SO-8, 适合空间受限的应用。
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
4
货期
现货
SIR880DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
SIR880DP-T1-GE3概述
PowerPAK是一种新的封装的MOSFET技术, 它基于SO-8封装开发, 与标准SO-8具有相同的占位面积和引脚排列, 可直接替代标准SO-8封装。 作为无引脚封装, 它利用整个SO-8占位面积, 能容纳比标准SO-8更大的芯片。 芯片底部的连接垫暴露, 可提供直接、低电阻的热路径到安装设备的基板。 此外, 该封装高度低于标准SO-8, 适合空间受限的应用。
SIR880DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIR880DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。
