SIR876ADP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR876ADP-T1-GE3-HXY
ID:75A, VDSS:100V, RDON:7.5mR, VGS:20V, TYPE:N沟道
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
49
货期
现货
SIR876ADP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
SIR876ADP-T1-GE3-HXY概述
ID:75A, VDSS:100V, RDON:7.5mR, VGS:20V, TYPE:N沟道
SIR876ADP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR876ADP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。