SIR876ADP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR876ADP-T1-GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：DC/DC初级侧开关。 电信/服务器48V， 全/半桥DC/DC
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
3,394
货期
现货
SIR876ADP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3394 |
SIR876ADP-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 100%进行Rg和UIS测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：DC/DC初级侧开关。 电信/服务器48V， 全/半桥DC/DC
SIR876ADP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIR876ADP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。