SIR873DP-T1-GE3
IC
PowerPAKSO-8
可供量大可议
SIR873DP-T1-GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET。 极低的RDS(ON)， 可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：DC/DC电源中的有源钳位。 电池保护
品牌
VISHAY
封装
PowerPAKSO-8
库存
1,067
货期
现货
SIR873DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAKSO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1067 |
SIR873DP-T1-GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 极低的RDS(ON)， 可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：DC/DC电源中的有源钳位。 电池保护
SIR873DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIR873DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。