SIR870ADP-T1-GE3
IC
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SIR870ADP-T1-GE3
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=󗙻 򏟋 򏟋 V, 𮧂 򏟋 A, PowerPAK SO-򑵼 封装, 表面贴装, 򑵼 引脚
品牌
VISHAY
封装
库存
29
货期
现货
SIR870ADP-T1-GE3参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 29 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25.5nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | SIR870ADP-T1-GE3 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 品牌 | VISHAY/威世 |
|---|---|
| 批次 | 2443+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 输入电容(Ciss) | 2.866nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 719pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:60A |
| 封装 | PowerPAK-SO-8 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000136 |
SIR870ADP-T1-GE3概述
Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=󗙻 򏟋 򏟋 V, 𮧂 򏟋 A, PowerPAK SO-򑵼 封装, 表面贴装, 򑵼 引脚
SIR870ADP-T1-GE3特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 100%进行Rq和UIS测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
SIR870ADP-T1-GE3应用领域
- 固定电信-DC/DC转换器-初级和次级侧开关