SIR866DP-T1-GE3-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
SIR866DP-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于高功率和高电压应用场景。 其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 160A； RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
Brand
VBsemi
Package
DFN5x6-8
Stock
47
货期
现货
SIR866DP-T1-GE3-VBParameters
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
SIR866DP-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 这是一款单N型场效应晶体管， 采用Trench工艺制造， 适用于高功率和高电压应用场景。 其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 160A； RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~2.5V
SIR866DP-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SIR866DP-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。