SIR850DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
SIR850DP-T1-GE3-HXY
SIR850DP-T1-GE3 是一款采用精巧DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管， 针对现代电子设备的小型化及高效能需求设计。 该器件提供了强大的电性参数30V的最大漏源电压VDSS， 以及高达70A的连续漏极电流ID， 保证在高功率条件下的稳定运行。 其独特之处在于导通电阻RD(on)低至5.7mΩ， 有效降低功率损耗， 提高整体系统效率。 SIR850DP-T1-GE3 适用于电源转换、电机驱动等高电流应用领域， 以出色的性能服务于各类高端电子设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
115
货期
现货
SIR850DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 115 |
SIR850DP-T1-GE3-HXY概述
SIR850DP-T1-GE3 是一款采用精巧DFN5X6-8L封装的高性能N沟道MOS管， 针对现代电子设备的小型化及高效能需求设计。 该器件提供了强大的电性参数30V的最大漏源电压VDSS， 以及高达70A的连续漏极电流ID， 保证在高功率条件下的稳定运行。 其独特之处在于导通电阻RD(on)低至5.7mΩ， 有效降低功率损耗， 提高整体系统效率。 SIR850DP-T1-GE3 适用于电源转换、电机驱动等高电流应用领域， 以出色的性能服务于各类高端电子设计。
SIR850DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR850DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。