SIR846ADP-T1-RE3-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
SIR846ADP-T1-RE3-HXY
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为100V， 导通电阻为6.4毫欧。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 在高电流工作条件下维持较高的能效水平。 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动以及高频开关电路等应用场景， 能够在紧凑布局中实现稳定可靠的电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
98
货期
现货
SIR846ADP-T1-RE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 98 |
SIR846ADP-T1-RE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为100V， 导通电阻为6.4毫欧。 其较低的导通电阻有助于减小导通损耗， 在高电流工作条件下维持较高的能效水平。 适用于对效率和热管理有较高要求的电源转换、电机驱动以及高频开关电路等应用场景， 能够在紧凑布局中实现稳定可靠的电气性能。
SIR846ADP-T1-RE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR846ADP-T1-RE3-HXY应用领域
暂无应用领域。