SIR802DP-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8(5x6)
可供量大可议
SIR802DP-T1-GE3-HXY
SIR802DP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为高功率密度和低功耗应用设计。 在20V电压VDSS下， 该器件能够稳定输送高达80A的连续电流， 展现出卓越的电流承载能力。 其独特之处在于拥有仅3.5mR的超低导通电阻RD(on)， 有效提升了系统能效并减少了功耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动和其他需要高性能低损耗MOSFET的场合， SIR802DP-T1-GE3 无疑是您理想的选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8(5x6)
库存
115
货期
现货
SIR802DP-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 115 |
SIR802DP-T1-GE3-HXY概述
SIR802DP-T1-GE3 是一款高性能N沟道MOSFET， 采用紧凑型DFN5X6-8L封装， 专为高功率密度和低功耗应用设计。 在20V电压VDSS下， 该器件能够稳定输送高达80A的连续电流， 展现出卓越的电流承载能力。 其独特之处在于拥有仅3.5mR的超低导通电阻RD(on)， 有效提升了系统能效并减少了功耗。 广泛应用于电源转换、电机驱动和其他需要高性能低损耗MOSFET的场合， SIR802DP-T1-GE3 无疑是您理想的选择。
SIR802DP-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SIR802DP-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。