SIR800DP-T1-GE3
IC
PowerPAK-SO-8
可供量大可议
SIR800DP-T1-GE3
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET第三代功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 100%进行I/O测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：DC/DC。 低电压驱动
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK-SO-8
库存
21
货期
现货
SIR800DP-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK-SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 21 |
SIR800DP-T1-GE3概述
特性：无卤， 符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET第三代功率MOSFET。 100%进行Rg测试。 100%进行I/O测试。 符合RoHS指令2002/95/EC。 应用：DC/DC。 低电压驱动
SIR800DP-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIR800DP-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。